Número do Produto do Fabricante:
BSS169IXTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSS169IXTSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT-23-3
Inventário:
5868 Pcs Novo Original Em Estoque
12958961
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BSS169IXTSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
1.8V @ 50µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
2.1 nC @ 7 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
51 pF @ 25 V
Recurso FET
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.)
360mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT-23-3
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
448-BSS169IXTSA1TR
448-BSS169IXTSA1CT
2156-BSS169IXTSA1
448-BSS169IXTSA1DKR
SP005558635
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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