Número do Produto do Fabricante:
BSS139H6327XTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSS139H6327XTSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 250 V 100mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventário:
13483 Pcs Novo Original Em Estoque
12802560
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BSS139H6327XTSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
SIPMOS®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
250 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14Ohm @ 100µA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 56µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
3.5 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
76 pF @ 25 V
Recurso FET
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.)
360mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT23
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número do produto base
BSS139
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
BSS139 H6327TR-DG
BSS139H6327
BSS139H6327XTSA1TR
BSS139 H6327CT-DG
BSS139 H6327-DG
SP000702610
BSS139H6327XTSA1CT
BSS139H6327XTSA1DKR
BSS139 H6327CT
BSS139 H6327DKR
BSS139 H6327
BSS139 H6327DKR-DG
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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