Número do Produto do Fabricante:
BSP613PL6327HUSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSP613PL6327HUSA1-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 2.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventário:
12802477
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BSP613PL6327HUSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
SIPMOS®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
875 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT223-4
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
BSP613P L6327
BSP613PL6327INTR
BSP613PL6327XT
BSP613PL6327HUSA1DKR
BSP613PL6327INDKR-DG
BSP613PL6327
BSP613PL6327INCT-DG
BSP613P L6327-DG
BSP613PL6327INCT
BSP613PL6327HUSA1TR
BSP613PL6327INDKR
BSP613PL6327HUSA1CT
BSP613PL6327INTR-DG
SP000089224
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
BSP613PH6327XTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
6365
NÚMERO DA PEÇA
BSP613PH6327XTSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.47
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
NÚMERO DA PEÇA
ZXMP6A17GTA
FABRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTIDADE DISPONÍVEL
63041
NÚMERO DA PEÇA
ZXMP6A17GTA-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.18
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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