Número do Produto do Fabricante:
BSP299H6327XUSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSP299H6327XUSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 400mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventário:
12799395
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BSP299H6327XUSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
SIPMOS®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
400mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 400mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
400 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT223-4
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
BSP299H6327XUSA1CT
BSP299H6327XUSA1DKR
2156-BSP299H6327XUSA1TR
SP001058628
BSP299H6327XUSA1-DG
BSP299H6327XUSA1TR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRFRC20TRPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5703
NÚMERO DA PEÇA
IRFRC20TRPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.44
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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