Número do Produto do Fabricante:
BSP125L6327HTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSP125L6327HTSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Inventário:
12853484
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
BSP125L6327HTSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
SIPMOS®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45Ohm @ 120mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.3V @ 94µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
150 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT223-4-21
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
INFINFBSP125L6327HTSA1
SP000089204
BSP125 L6327
BSP125 L6327-DG
BSP125L6327HTSA1TR
2156-BSP125L6327HTSA1-ITTR
BSP125L6327XT
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
BSP125H6327XTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
27360
NÚMERO DA PEÇA
BSP125H6327XTSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.28
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
2SK3431-Z-E1-AZ
MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB
MCH6342-TL-H
MOSFET P-CH 30V 4.5A 6MCPH
MTP23P06VG
MOSFET P-CH 60V 23A TO220AB