Número do Produto do Fabricante:
BSO612CVGHUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSO612CVGHUMA1-DG
Descrição:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8DSO
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 60V 3A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Inventário:
12799195
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ENVIAR
BSO612CVGHUMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
SIPMOS®
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
N and P-Channel
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 20µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15.5nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
340pF @ 25V
Potência - Máx.
2W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-DSO-8
Número do produto base
BSO612
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
BSO612CVGHUMA1TR
BSO612CVGHUMA1DKR
2156-BSO612CVGHUMA1
BSO612CVXTINCT
BSO612CVXTINCT-DG
BSO612CVGXT
BSO612CVXTINTR-DG
BSO612CVT
BSO612CVGINTR-DG
BSO612CVGINTR
BSO612CVGINDKR-DG
BSO612CVGINCT-DG
INFINFBSO612CVGHUMA1
BSO612CVGT
BSO612CVXTINTR
BSO612CVGHUMA1CT
BSO612CVGINDKR
BSO612CV G
SP000216307
BSO612CVG
BSO612CV G-DG
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRF7343TRPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
18654
NÚMERO DA PEÇA
IRF7343TRPBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.39
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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