Número do Produto do Fabricante:
BSG0813NDIATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSG0813NDIATMA1-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 25V 19A, 33A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
Inventário:
12798877
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BSG0813NDIATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Recurso FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
19A, 33A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100pF @ 12V
Potência - Máx.
2.5W
Temperatura de operação
-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TISON-8
Número do produto base
BSG0813
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SP001241676
448-BSG0813NDIATMA1CT
448-BSG0813NDIATMA1TR
2156-BSG0813NDIATMA1
BSG0813NDIATMA1-DG
INFINFBSG0813NDIATMA1
448-BSG0813NDIATMA1DKR
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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