Número do Produto do Fabricante:
BSC900N20NS3GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSC900N20NS3GATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventário:
12799182
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ENVIAR
BSC900N20NS3GATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
15.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 30µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
920 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8-5
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
BSC900
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
BSC900N20NS3GATMA1TR
BSC900N20NS3GTR
BSC900N20NS3GTR-DG
BSC900N20NS3GCT-DG
BSC900N20NS3GCT
BSC900N20NS3GATMA1CT
BSC900N20NS3 G
SP000781780
BSC900N20NS3GATMA1DKR
BSC900N20NS3GDKR
BSC900N20NS3G
BSC900N20NS3GDKR-DG
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
BSZ900N20NS3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
16519
NÚMERO DA PEÇA
BSZ900N20NS3GATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.76
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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