Número do Produto do Fabricante:
BSC196N10NSGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSC196N10NSGATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 8.5A (Ta), 45A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventário:
53243 Pcs Novo Original Em Estoque
12836783
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BSC196N10NSGATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 45A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19.6mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 42µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2300 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8-1
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
BSC196
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
BSC196N10NSGATMA1TR
BSC196N10NSGATMA1DKR
SP000379604
BSC196N10NS GTR-DG
BSC196N10NS GCT
BSC196N10NS GDKR
BSC196N10NS GDKR-DG
BSC196N10NSG
BSC196N10NS GCT-DG
BSC196N10NSGATMA1CT
BSC196N10NS G-DG
BSC196N10NS G
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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