Número do Produto do Fabricante:
BSC160N15NS5ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSC160N15NS5ATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 150V 56A TDSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 150 V 56A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventário:
12249 Pcs Novo Original Em Estoque
12799935
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
JsEW
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
BSC160N15NS5ATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
150 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.6V @ 60µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
23.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1820 pF @ 75 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
96W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8-7
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
BSC160
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
BSC160N15NS5ATMA1CT
BSC160N15NS5ATMA1-DG
BSC160N15NS5ATMA1TR
BSC160N15NS5ATMA1DKR
2832-BSC160N15NS5ATMA1-448
SP001181422
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IAUT300N10S5N015ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
IPI120N10S403AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
IPB06CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK