Número do Produto do Fabricante:
BSC028N06NSATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSC028N06NSATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 23A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventário:
30819 Pcs Novo Original Em Estoque
12798668
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
BSC028N06NSATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
23A (Ta), 100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.8V @ 50µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2700 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8-7
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
BSC028
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
BSC028N06NSDKR
BSC028N06NSCT-DG
BSC028N06NSTR-DG
BSC028N06NS-DG
BSC028N06NS
BSC028N06NSATMA1CT
BSC028N06NSDKR-DG
BSC028N06NSATMA1TR
BSC028N06NSATMA1DKR
BSC028N06NSTR
SP000917416
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
BSC009NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
AUIRFR024NTRL
MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA
AUIRLS4030
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
