Número do Produto do Fabricante:
BSC026N02KSGAUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSC026N02KSGAUMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 25A/100A TDSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 25A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventário:
1482 Pcs Novo Original Em Estoque
12802355
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ENVIAR
BSC026N02KSGAUMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
25A (Ta), 100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 50A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.2V @ 200µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
52.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7800 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8-1
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
BSC026
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
BSC026N02KS GDKR-DG
BSC026N02KSGAUMA1TR
BSC026N02KSGAUMA1DKR
SP000379664
BSC026N02KS GCT
BSC026N02KS G
BSC026N02KSG
BSC026N02KS G-DG
BSC026N02KS GCT-DG
BSC026N02KS GTR
BSC026N02KS GTR-DG
BSC026N02KS GDKR
BSC026N02KSGAUMA1CT
2156-BSC026N02KSGAUMA1
INFINFBSC026N02KSGAUMA1
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
BSC018NE2LSATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
11357
NÚMERO DA PEÇA
BSC018NE2LSATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.49
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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