BSC020N03LSGATMA1

Número do Produto do Fabricante:

BSC020N03LSGATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

BSC020N03LSGATMA1-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON

Descrição Detalhada:

N-Channel 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Inventário:

18867 Pcs Novo Original Em Estoque

12826494

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BSC020N03LSGATMA1 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Série

OptiMOS™

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

30 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

28A (Ta), 100A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

2.2V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

93 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

7200 pF @ 15 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

2.5W (Ta), 96W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

PG-TDSON-8-1

Pacote / Estojo

8-PowerTDFN

Número do produto base

BSC020

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

BSC020N03LSGATMA1

Folha de Dados HTML

BSC020N03LSGATMA1-DG

Informação Adicional

Outros nomes

BSC020N03LS G-DG

SP000237662

BSC020N03LSGATMA1TR

BSC020N03LS GDKR

SP000264746

BSC020N03LS GDKR-DG

BSC020N03LSGATMA1CT

BSC020N03LSGATMA1DKR

BSC020N03LS GTR-DG

BSC020N03LS GCT-DG

Q3390169

BSC020N03LS GCT

BSC020N03LS G

BSC020N03LSGXT

Pacote padrão

5,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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