BSC019N02KSGAUMA1
Número do Produto do Fabricante:

BSC019N02KSGAUMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

BSC019N02KSGAUMA1-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Inventário:

12798465
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BSC019N02KSGAUMA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.95mOhm @ 50A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.2V @ 350µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13000 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8-1
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
BSC019

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
BSC019N02KSGAUMA1TR
448-BSC019N02KSGAUMA1TR
BSC019N02KS G
BSC019N02KS G-DG
SP000307376
BSC019N02KSGAUMA1TR-DG
Pacote padrão
5,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
BSC014NE2LSIATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
18735
NÚMERO DA PEÇA
BSC014NE2LSIATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.57
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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