Número do Produto do Fabricante:
BSC014N04LSATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSC014N04LSATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 32A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount SuperSO8
Inventário:
20563 Pcs Novo Original Em Estoque
12799131
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
BSC014N04LSATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
32A (Ta), 100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4300 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SuperSO8
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
BSC014
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP000871196
BSC014N04LSATMA1DKR
BSC014N04LSTR
BSC014N04LSDKR
BSC014N04LSATMA1TR
BSC014N04LSTR-DG
BSC014N04LSATMA1CT
BSC014N04LSDKR-DG
BSC014N04LS-DG
BSC014N04LS
BSC014N04LSCT-DG
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
BSS84PH6433XTMA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
BSR315PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
