Número do Produto do Fabricante:
AUIRFS3207ZTRL
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
AUIRFS3207ZTRL-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventário:
12798282
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AUIRFS3207ZTRL Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
75 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 150µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6920 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
AUIRFS3207
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SP001518098
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STB160N75F3
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
970
NÚMERO DA PEÇA
STB160N75F3-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.27
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IPB049NE7N3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1900
NÚMERO DA PEÇA
IPB049NE7N3GATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.13
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
FDB045AN08A0
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
600
NÚMERO DA PEÇA
FDB045AN08A0-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.58
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IPB70N10S312ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
764
NÚMERO DA PEÇA
IPB70N10S312ATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.17
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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