Número do Produto do Fabricante:
AIMW120R045M1XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
AIMW120R045M1XKSA1-DG
Descrição:
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventário:
239 Pcs Novo Original Em Estoque
12948663
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AIMW120R045M1XKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolSiC™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (máx) @ id
5.7V @ 10mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
+20V, -7V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2130 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
228W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
AIMW120
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP002472666
448-AIMW120R045M1XKSA1
2156-AIMW120R045M1XKSA1-448
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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