Número do Produto do Fabricante:
AIMBG120R060M1XTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
AIMBG120R060M1XTMA1-DG
Descrição:
SIC_DISCRETE
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 38A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Inventário:
12991430
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AIMBG120R060M1XTMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 13A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
5.1V @ 4.3mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+23V, -5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
880 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
202W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-7-12
Pacote / Estojo
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número do produto base
AIMBG120
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
448-AIMBG120R060M1XTMA1CT
448-AIMBG120R060M1XTMA1TR
448-AIMBG120R060M1XTMA1DKR
SP005577229
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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