ICE10N73

Número do Produto do Fabricante:

ICE10N73

Product Overview

Fabricante:

IceMOS Technology

DiGi Electronics Número da Peça:

ICE10N73-DG

Descrição:

Superjunction MOSFET

Descrição Detalhada:

N-Channel 730 V 10A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220

Inventário:

100 Pcs Novo Original Em Estoque

12990383

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ICE10N73 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

IceMOS Technology

Embalagem

-

Série

-

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

730 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 5A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

3.5V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

81 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2624 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

208W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-220

Pacote / Estojo

TO-220-3

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes

5133-ICE10N73

Pacote padrão

50

Classificação Ambiental e de Exportação

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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