Número do Produto do Fabricante:
HTNFET-T
Product Overview
Fabricante:
Honeywell Aerospace
DiGi Electronics Número da Peça:
HTNFET-T-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 4POWER TAB
Descrição Detalhada:
N-Channel 55 V 50W (Tj) Through Hole 4-Power Tab
Inventário:
13234018
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HTNFET-T Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Honeywell Aerospace
Embalagem
-
Série
HTMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
-
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 100mA, 5V
vgs(th) (máx) @ id
2.4V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
4.3 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
290 pF @ 28 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
50W (Tj)
Temperatura de operação
-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
4-Power Tab
Pacote / Estojo
4-SIP
Número do produto base
HTNFET
Informação Adicional
Outros nomes
342-1091
HTNFETT
HTNFET-T-ND
22022208-002
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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