Número do Produto do Fabricante:
SSFU6511
Product Overview
Fabricante:
Good-Ark Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
SSFU6511-DG
Descrição:
MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.5A, 650
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 11.5A (Tc) 32.6W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventário:
1000 Pcs Novo Original Em Estoque
12999530
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SSFU6511 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Good Ark Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
870 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
32.6W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
4786-SSFU6511
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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