Número do Produto do Fabricante:
GSFU9506
Product Overview
Fabricante:
Good-Ark Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
GSFU9506-DG
Descrição:
MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 950V,
Descrição Detalhada:
N-Channel 950 V 6A (Tj) 32W (Tj) Through Hole TO-220F
Inventário:
1000 Pcs Novo Original Em Estoque
13001922
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
GSFU9506 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Good Ark Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
950 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.9V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1250 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
32W (Tj)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
4786-GSFU9506
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
R6013VNXC7G
600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH
ICE10N60FP
Superjunction MOSFET
ICE60N130W
Superjunction MOSFET
