GT6K2P10KH
Número do Produto do Fabricante:

GT6K2P10KH

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

GT6K2P10KH-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Descrição Detalhada:
P-Channel 100 V 4.3A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventário:

2320 Pcs Novo Original Em Estoque
12944940
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GT6K2P10KH Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
SGT
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
670mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
247 pF @ 50 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
3141-GT6K2P10KHTR
3141-GT6K2P10KHCT
3141-GT6K2P10KHDKR
4822-GT6K2P10KHTR
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificação DIGI
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