Número do Produto do Fabricante:
GT105N10T
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
GT105N10T-DG
Descrição:
N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
189 Pcs Novo Original Em Estoque
13000955
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GT105N10T Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
SGT
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
74W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-GT105N10T
4822-GT105N10T
Pacote padrão
100
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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