Número do Produto do Fabricante:
GT105N10F
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
GT105N10F-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220F
Descrição Detalhada:
N-Channel 33A (Tc) 20.8W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventário:
60000 Pcs Novo Original Em Estoque
12986227
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GT105N10F Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
SGT
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
20.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220F
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Informação Adicional
Outros nomes
4822-GT105N10F
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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