Número do Produto do Fabricante:
GT025N06D5
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
GT025N06D5-DG
Descrição:
N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 170A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5.2x5.86)
Inventário:
7076 Pcs Novo Original Em Estoque
12998950
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GT025N06D5 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
SGT
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5950 pF @ 25 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-DFN (5.2x5.86)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-GT025N06D5DKR
4822-GT025N06D5TR
3141-GT025N06D5TR
3141-GT025N06D5CT
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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