Número do Produto do Fabricante:
GT023N10M
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
GT023N10M-DG
Descrição:
N100V,140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~4
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 140A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventário:
800 Pcs Novo Original Em Estoque
13004016
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GT023N10M Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
140A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8050 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
500W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-GT023N10MTR
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificação DIGI
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