Número do Produto do Fabricante:
GC11N65K
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
GC11N65K-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-252
Descrição Detalhada:
N-Channel 11A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventário:
12977630
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ENVIAR
GC11N65K Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
-
Série
Cool MOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Vgs (máx.)
±30V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
179W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
4822-GC11N65KTR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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