G900P15M
Número do Produto do Fabricante:

G900P15M

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

G900P15M-DG

Descrição:

P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Descrição Detalhada:
P-Channel 150 V 60A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263

Inventário:

109 Pcs Novo Original Em Estoque
13002659
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G900P15M Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
150 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4056 pF @ 75 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
3141-G900P15MTR
3141-G900P15MDKR
3141-G900P15MCT
Pacote padrão
800

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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