Número do Produto do Fabricante:
G700P06J
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G700P06J-DG
Descrição:
P-60V,-23A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 23A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251
Inventário:
135 Pcs Novo Original Em Estoque
13002460
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ENVIAR
G700P06J Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1465 pF @ 30 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-251
Pacote / Estojo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-G700P06J
4822-G700P06J
Pacote padrão
75
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificação DIGI
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