Número do Produto do Fabricante:
G66
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G66-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 16V 5.8A DFN2*2-6L
Descrição Detalhada:
P-Channel 5.8A (Tc) 1.7W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventário:
13001951
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G66 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
-
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 4.1A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1V @ 250µA
Vgs (máx.)
±8V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
1.7W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-DFN (2x2)
Pacote / Estojo
6-WDFN Exposed Pad
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
4822-G66TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
Certificação DIGI
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