Número do Produto do Fabricante:
G65P06D5
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G65P06D5-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L
Descrição Detalhada:
P-Channel 65A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Inventário:
50000 Pcs Novo Original Em Estoque
12975144
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
G65P06D5 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
104W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-DFN (4.9x5.75)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
4822-G65P06D5TR
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRF530PBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
DI080N06PQ-AQ
MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0
NVH4L015N065SC1
SIC MOS TO247-4L 650V
