Número do Produto do Fabricante:
G3K8N15KE
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G3K8N15KE-DG
Descrição:
MOSFET N-CH ESD 150V 6A TO-252
Descrição Detalhada:
N-Channel 150 V 6A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventário:
2500 Pcs Novo Original Em Estoque
13239078
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Quantidade
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Mínimo 1
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G3K8N15KE Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
150 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
370mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
549 pF @ 75 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
20W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-G3K8N15KETR
3141-G3K8N15KEDKR
3141-G3K8N15KECT
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificação DIGI
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