Número do Produto do Fabricante:
G33N03D52
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G33N03D52-DG
Descrição:
N30V, 33A,RD<13M@10V,VTH1V~3V, D
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 33A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount DFN5*6
Inventário:
4980 Pcs Novo Original Em Estoque
12989592
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G33N03D52 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
17.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
782 pF @ 15 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
29W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
DFN5*6
Pacote / Estojo
DFN5*6
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-G33N03D52TR
3141-G33N03D52DKR
4822-G33N03D52TR
3141-G33N03D52CT
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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