G2K8P15K
Número do Produto do Fabricante:

G2K8P15K

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

G2K8P15K-DG

Descrição:

P-150V,-12A,RD(MAX)<310M@-10V,VT
Descrição Detalhada:
P-Channel 150 V 12A (Tc) 59W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventário:

2440 Pcs Novo Original Em Estoque
12997614
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G2K8P15K Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
150 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
953 pF @ 75 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
59W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
3141-G2K8P15KDKR
3141-G2K8P15KTR
4822-G2K8P15KTR
3141-G2K8P15KCT
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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