Número do Produto do Fabricante:
G2K3N10H
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G2K3N10H-DG
Descrição:
MOSFET, N-CH,100V, 2A,SOT-223
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 2A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventário:
2265 Pcs Novo Original Em Estoque
13001316
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G2K3N10H Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
434 pF @ 50 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
2.4W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-223
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-G2K3N10HCT
3141-G2K3N10HDKR
4822-G2K3N10HTR
3141-G2K3N10HTR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)