Número do Produto do Fabricante:
G2014
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G2014-DG
Descrição:
N20V,RD(MAX)<9M@4.5V,RD(MAX)<11M
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 14A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventário:
2960 Pcs Novo Original Em Estoque
13000887
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G2014 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
900mV @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
17.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1710 pF @ 10 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
3W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
6-DFN (2x2)
Pacote / Estojo
6-WDFN Exposed Pad
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-G2014DKR
4822-G2014TR
3141-G2014CT
3141-G2014TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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