Número do Produto do Fabricante:
G2003A
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G2003A-DG
Descrição:
N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Descrição Detalhada:
N-Channel 190 V 3A (Tc) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3
Inventário:
3043 Pcs Novo Original Em Estoque
13002051
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ENVIAR
G2003A Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
190 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
580 pF @ 25 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-23-3
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
4822-G2003ATR
3141-G2003ACT
3141-G2003ATR
3141-G2003ADKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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