Número do Produto do Fabricante:
G110N06T
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G110N06T-DG
Descrição:
N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 110A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
92 Pcs Novo Original Em Estoque
12985125
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G110N06T Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5538 pF @ 25 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
160W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-G110N06T
4822-G110N06T
Pacote padrão
100
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
G110N06T
FABRICANTE
Goford Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
6000
NÚMERO DA PEÇA
G110N06T-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.47
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
Certificação DIGI
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