G10N06
Número do Produto do Fabricante:

G10N06

Product Overview

Fabricante:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

G10N06-DG

Descrição:

N60V,10A,RD<16M@10V,VTH1.2V~2.2V
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 10A (Tc) 2.6W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Inventário:

12997620
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G10N06 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2180 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.6W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SOP
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
3141-G10N06TR
Pacote padrão
4,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
RoHS Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certificação DIGI
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