Número do Produto do Fabricante:
G080P06M
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G080P06M-DG
Descrição:
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 195A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventário:
842 Pcs Novo Original Em Estoque
12993026
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G080P06M Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
186 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15870 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
294W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-G080P06MDKR
3141-G080P06MTR
3141-G080P06MCT
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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