Número do Produto do Fabricante:
G06N10
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G06N10-DG
Descrição:
N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 6A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventário:
4752 Pcs Novo Original Em Estoque
13000461
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G06N10 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
190 pF @ 50 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252 (DPAK)
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
3141-G06N10DKR
3141-G06N10CT
3141-G06N10TR
4822-G06N10TR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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