Número do Produto do Fabricante:
G04P10HE
Product Overview
Fabricante:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G04P10HE-DG
Descrição:
MOSFET P-CH ESD 100V 4A SOT-223
Descrição Detalhada:
P-Channel 4A (Tc) 1.2W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventário:
20000 Pcs Novo Original Em Estoque
13001634
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G04P10HE Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Goford Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.8V @ 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
1.2W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-223
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
4822-G04P10HETR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
