Número do Produto do Fabricante:
G3R75MT12J-TR
Product Overview
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G3R75MT12J-TR-DG
Descrição:
1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 38A (Tc) 196W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventário:
2863 Pcs Novo Original Em Estoque
13239983
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G3R75MT12J-TR Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
G3R™, LoRing™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 20A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
2.7V @ 10mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
+22V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1545 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
196W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263-7
Pacote / Estojo
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
1242-G3R75MT12J-TRDKR
1242-G3R75MT12J-TR
1242-G3R75MT12J-TRCT
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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