G3R450MT17J

Número do Produto do Fabricante:

G3R450MT17J

Product Overview

Fabricante:

GeneSiC Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

G3R450MT17J-DG

Descrição:

SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7

Descrição Detalhada:

N-Channel 1700 V 9A (Tc) 91W (Tc) Surface Mount TO-263-7

Inventário:

6534 Pcs Novo Original Em Estoque

12945349

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G3R450MT17J Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

GeneSiC Semiconductor

Embalagem

Tube

Série

G3R™

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

SiCFET (Silicon Carbide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

1700 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

585mOhm @ 4A, 15V

vgs(th) (máx) @ id

2.7V @ 2mA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

18 nC @ 15 V

Vgs (máx.)

±15V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

454 pF @ 1000 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

91W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-263-7

Pacote / Estojo

TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

Número do produto base

G3R450

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes

1242-G3R450MT17J

Pacote padrão

50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

RoHS Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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