Número do Produto do Fabricante:
G3R350MT12J
Product Overview
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G3R350MT12J-DG
Descrição:
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 11A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Inventário:
3807 Pcs Novo Original Em Estoque
12977985
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G3R350MT12J Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
G3R™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420mOhm @ 4A, 15V
vgs(th) (máx) @ id
2.69V @ 2mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
334 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-263-7
Pacote / Estojo
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número do produto base
G3R350
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
1242-G3R350MT12J
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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