Número do Produto do Fabricante:
G2R50MT33K
Product Overview
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
G2R50MT33K-DG
Descrição:
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 3300 V 63A (Tc) 536W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventário:
131 Pcs Novo Original Em Estoque
12965214
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
G2R50MT33K Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Embalagem
Tube
Série
G2R™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
3300 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
63A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 10mA (Typ)
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
340 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7301 pF @ 1000 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
536W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4
Pacote / Estojo
TO-247-4
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
1242-G2R50MT33K
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
PJQ2422_R1_00001
DFN2020B-6L, MOSFET
PJA3416_R1_00001
SOT-23, MOSFET
DMP4006SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506