Número do Produto do Fabricante:
ISL9N308AP3
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
ISL9N308AP3-DG
Descrição:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
3200 Pcs Novo Original Em Estoque
12954236
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ISL9N308AP3 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
UltraFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2600 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Informação Adicional
Outros nomes
2156-ISL9N308AP3
FAIFSCISL9N308AP3
Pacote padrão
370
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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