IRFW520ATM
Número do Produto do Fabricante:

IRFW520ATM

Product Overview

Fabricante:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Número da Peça:

IRFW520ATM-DG

Descrição:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventário:

774 Pcs Novo Original Em Estoque
12931717
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IRFW520ATM Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
480 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
FAIFSCIRFW520ATM
2156-IRFW520ATM
Pacote padrão
774

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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