Número do Produto do Fabricante:
IRFI614BTUFP001
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Número da Peça:
IRFI614BTUFP001-DG
Descrição:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 250 V 2.8A (Tc) 3.13W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventário:
3000 Pcs Novo Original Em Estoque
12967573
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IRFI614BTUFP001 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
250 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
275 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.13W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262 (I2PAK)
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IRFI614BTUFP001
FAIFSCIRFI614BTUFP001
Pacote padrão
2,219
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
Not applicable
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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